Substrato ceramico in nitruro di alluminio da 12 pollici GaN-on-QST

Substrato ceramico in nitruro di alluminio da 12 pollici GaN-on-QST

1.Materiale: nitruro di alluminio.

2. Funzione: isolamento e dissipazione del calore in ceramica.

3.Tipo: Ceramica.

4.Colore: grigio.

5. Può essere personalizzato: sì, fornire disegni per prodotti specifici.

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Dettagli del prodotto

Substrato ceramico in nitruro di alluminio da 12 pollici GaN-on-QST

Descrizione del prodotto:

GaN-on-QST è fornito da Qromis Company degli Stati Uniti, che può essere utilizzato come substrato di silicio o come cristallo di avviamento. Nel 2017, hanno collaborato con Kyma Technologies per produrre il primo substrato GaN indipendente (4 pollici) basato sulla tecnologia del substrato QST. A gennaio 2020, Qromis ha ricevuto investimenti da Toyota Motor Corporation. Qromis ha concesso in licenza questa tecnologia a due aziende, tra cui World Advanced e Shin-Etsu Chemical, entrambe le quali stanno accelerando il ritmo della produzione di epitassi e fonderie di dispositivi quest'anno.

Il substrato GaN autoportante di Qromis presenta tre vantaggi principali, per cui è altamente ottimistico:

● Il tasso di rendimento dei dispositivi GaN può raggiungere il 90%.

● Sono stati rilasciati substrati da 6 e 8 pollici e si prevede che nel 2025 saranno prodotti substrati GaN da 12 pollici.

I substrati in nitruro di alluminio (AlN) da 6 e 8 pollici sono il prodotto standard di Fujian Huaqing e ora possiamo fornire un substrato ceramico in nitruro di alluminio (AlN) da 12 pollici che può essere utilizzato come substrato sottostante per il prodotto GaN-on-QST.

I nostri substrati in nitruro di alluminio (AlN) sono disponibili in varie dimensioni e spessori. Grazie a un inventario ampio e attivo, possiamo spedire rapidamente la tua parte per consentirti di iniziare il tuo progetto.

Il nostro servizio:
Contattateci per la personalizzazione. Possiamo anche fornire Ceramica al Nitruro di Alluminio (AlN) con conduttività termica fino a 230 W/mK

Specifica:

Dimensioni (LxP)	φ12 pollici
Spessore	1,0 mm
Conduttività termica	170 W/mK
Costante dielettrica	8-9 (MHz)
Densità apparente	3,3 g/cm³
Rugosità superficiale	Ra: 0,03-0,6 μm su entrambi i lati

Vantaggio aziendale:

Huaqing Fondata nel 2004, con un investimento complessivo di 80 milioni di RMB, capitale registrato 40 milioni di RMB. I prodotti ceramici AlN e Al2O3 di Huaqing hanno elevata conduttività termica, bassa costante dielettrica, buon fattore di dissipazione ed eccellenti proprietà meccaniche rispetto alle altre fabbriche del settore. La ceramica AlN e Al2O3 è ampiamente utilizzata in HBLED, opto-comunicazione, IGBT, dispositivi di potenza, TEC e altre applicazioni di fascia alta.

Officina e attrezzature:

Imballaggio e consegna:
Consegna tramite UPS, DHL, Fedex ecc.

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