Il rame Direct Bond è una tecnologia ampiamente accettabile e collaudata nel tempo per i prodotti elettronici di potenza grazie alla sua elevata conduttività termica, elevata capacità di corrente e dissipazione del calore del rame ad alta purezza su ceramica.
Dettagli del prodotto:
Substrati ceramici DBC per semiconduttori
Descrizione del prodotto:
Il substrato in rame a legame diretto viene utilizzato un processo speciale in cui il foglio di rame e Al2O3 vengono legati direttamente ad alta temperatura appropriata, le cui applicazioni sono moduli semiconduttori di potenza, moduli di raffreddamento termoelettrici, dispositivi di riscaldamento elettronici, circuiti di controllo di potenza, circuiti ibridi di potenza.
Nostro servizio:
Vi preghiamo di contattarci per la personalizzazione.
Specifica:
Specifiche rame/ceramica/rame(mm) | ||||||
Al2O3-DBC | 0,20/0,38/0,20 | 0,25/0,38/0,25 | 0,3/0,38/0,30 | 0,20/0,64/0,20 | 0,25/0,64/0,25 | 0,30/0,64/0,30 |
ZTA-DBC | 0,20/0,32/0,20 | 0,25/0,32/0,25 | 0,30/0,32/0,30 |
Vantaggio aziendale:
Huaqing è stata fondata nel 2004, con un investimento complessivo di 80 milioni di RMB, capitale sociale 40 milioni di RMB. I prodotti ceramici AlN e Al2O3 di Huaqing hanno un'elevata conduttività termica, una bassa costante dielettrica, un buon fattore di dissipazione ed eccellenti proprietà meccaniche rispetto alle altre fabbriche del settore. Le ceramiche AlN e Al2O3 sono ampiamente utilizzate in HBLED, optocomunicazioni, IGBT, dispositivi di potenza, TEC e altre applicazioni di fascia alta.
Officina e attrezzatura:
Imballaggio e consegna:
Consegna tramite UPS, DHL, Fedex ecc.
Perché hai bisogno dei nostri servizi, sai che stai ricevendo professionisti altamente qualificati che hanno la competenza e l'esperienza per assicurarti che il tuo progetto sia svolto correttamente e funzioni.
se desideri una consulenza gratuita, inizia bg compilando il modulo: