Il rame Direct Bond è una tecnologia ampiamente accettabile e collaudata nel tempo per i prodotti elettronici di potenza grazie alla sua elevata conduttività termica, all'elevata capacità di corrente e alla dissipazione del calore del rame ad alta purezza su ceramica.
Dettagli del prodotto:
Substrati ceramici DBC per semiconduttori
Descrizione del prodotto:
Il substrato di rame a legame diretto viene utilizzato un processo speciale in cui la lamina di rame e l'Al2O3 sono direttamente legati ad alta temperatura appropriata, le cui applicazioni sono moduli semiconduttori di potenza, moduli di raffreddamento termoelettrici, dispositivi di riscaldamento elettronici, circuiti di controllo dell'alimentazione, circuiti ibridi di potenza.
Nostro servizio:
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Specifica:
Specifiche rame/ceramica/rame (mm) | ||||||
AlN-DBC | 0,25/0,38/0,25 | 0,30/0,38/0,30 | 0,25/0,64/0,25 | 0,30/0,64/0,30 | ||
Al2O3-DBC | 0,20/0,38/0,20 | 0,25/0,38/0,25 | 0,3/0,38/0,30 | 0,20/0,64/0,20 | 0,25/0,64/0,25 | 0,30/0,64/0,30 |
ZTA-DBC | 0,20/0,32/0,20 | 0,25/0,32/0,25 | 0,30/0,32/0,30 |
Vantaggio aziendale:
Huaqing fondata nel 2004, con un investimento somma di 80 milioni di RMB, capitale sociale 40 milioni di RMB. I prodotti ceramici AlN e Al2O3 di Huaqing hanno un'elevata conduttività termica, una bassa costante dielettrica, un buon fattore di dissipazione e un'eccellente proprietà meccanica rispetto alle altre fabbriche del settore. Le ceramiche AlN e Al2O3 sono ampiamente utilizzate in HBLED, opto-comunicazione, IGBT, dispositivi di potenza, TEC e altre applicazioni di fascia alta.
Officina e attrezzatura:
Imballaggio e consegna:
Consegna tramite UPS, DHL, Fedex ecc.
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