Il processo Direct Bond Copper è una tecnologia ampiamente accettata e collaudata per i prodotti elettronici di potenza, grazie alla sua elevata conduttività termica, all'elevata capacità di corrente e alla dissipazione del calore del rame ad alta purezza sulla ceramica.
Dettagli del prodotto:
Substrato ceramico DBC in rame a legame diretto per moduli semiconduttori
Descrizione del prodotto:
I substrati Direct Bond Copper indicano un processo in cui il materiale ceramico e il rame vengono legati insieme ad alta temperatura. I substrati ceramici DBC hanno dimostrato per molti anni di essere un'eccellente soluzione per l'isolamento elettrico e la gestione termica dei moduli semiconduttori ad alta potenza.
Si prevede che nei prossimi anni l'aumento delle applicazioni dei moduli di potenza in vari settori, come quello industriale, automobilistico e dei trasporti, nonché nei dispositivi di consumo, alimenterà l'espansione del mercato globale.
Il nostro servizio:
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Specifica:
Specifiche rame/ceramica/rame (mm) | ||||||
Al2O3-DBC | 0,20/0,38/0,20 | 0,25/0,38/0,25 | 0,3/0,38/0,30 | 0,20/0,64/0,20 | 0,25/0,64/0,25 | 0,30/0,64/0,30 |
ZTA-DBC | 0,20/0,32/0,20 | 0,25/0,32/0,25 | 0,30/0,32/0,30 |
Vantaggio aziendale:
Huaqing fondata nel 2004, con un investimento complessivo di 80 milioni di RMB, capitale registrato 40 milioni di RMB. I prodotti ceramici AlN e Al2O3 di Huaqing hanno elevata conduttività termica, bassa costante dielettrica, buon fattore di dissipazione ed eccellenti proprietà meccaniche rispetto alle altre fabbriche del settore. La ceramica AlN e Al2O3 è ampiamente utilizzata in HBLED, opto-comunicazione, IGBT, dispositivi di potenza, TEC e altre applicazioni di fascia alta.
Officina e attrezzature:
Imballaggio e consegna:
Consegna tramite UPS, DHL, Fedex ecc.
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